“台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产”
发布日期：2021-05-30 03:45:02
浏览：
来源:快速技术
7月13日消息，据台湾媒体报道，台湾积体电路制造冲刺的先进工艺路线，在2nm的研发上有较大突破，成功找到轨道，切入旋转式网格技术( gate-all-around，简称gaa )技术。
据台湾媒体报道，三星已经决定在3nm率先引进gaa技术，并宣布到2030年将超过台湾积体电路制造，获得全球逻辑芯片替代者的地位。 台湾积体电路制造研发大军一刻也不放松，积极投资2nm研发，取得了技术上的重大突破，成功找到了通往gaa的道路。
负责台湾积体电路制造研究开发的高级副总裁罗唯仁为此举办了庆祝会，感谢研究开发技术人员的全心投入。
台湾积体电路制造3nm工艺预计明年上半年在南科18家工厂p4工厂试制，2022年量产，业界据此推测台湾积体电路制造2nm的上市时间将在2023年至2024年之间。
台湾积体电路制造今年4月宣布，3纳米将继承finfet (鳍型场效应晶体管)技术。 第一个考虑因素是，顾客导入5nm工艺后，可以用同样的设计导入3nm工艺，继续向顾客提供价格有竞争力，性能好的产品。
台湾积体电路制造成立于1987年，是世界上最大的晶片代理半导体制造商，客户包括苹果、高通等。 其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。 台湾积体电路制造公司的股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，其他美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票号码为tsm。
免责声明：飞天目录网免费收录各个行业的优秀中文网站，提供网站分类目录检索与关键字搜索等服务，本篇文章是在网络上转载的，本站不为其真实性负责，只为传播网络信息为目的，非商业用途，如有异议请及时联系btr2031@163.com，本站的作者将予以删除。